碳化硅产业链可分为三个环节：碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场，通常采用物***相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）生成外延片，***制成器件。在SiC器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底（占比50%左右），上海耐火铝碳化硅碳砖公司。碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底：指电阻***于105Ω·cm的碳化硅衬底，其主要用于制造氮化镓微波射频器件。微波射频器件是无线通讯领域的基础性零部件，中国大力发展5G技术推动碳化硅衬底需求释放。导电型碳化硅衬底：指电阻率在15~30mΩ·cm的碳化硅衬底。由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片可进一步制成功率器件，功率器件是电力电子变换装臵的**器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。汽车电动化趋势利好SiC发展。广泛应用于集成电路等低压，上海耐火铝碳化硅碳砖公司，上海耐火铝碳化硅碳砖公司、低频、低功率场景。但是，***代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。上海耐火铝碳化硅碳砖公司
4.1.国家鼓励半导体SiC行业发展第三代半导体材料是信息产业、5G通讯、*****等战略领域的**材料，近年来，国家出台一系列半导体产业鼓励政策，为国内企业提供政策及资金支持，以推动以碳化硅为**的第三代半导体材料发展。以下政策法律法规的发布和落实利好碳化硅企业发展，碳化硅产业链企业可享受行业红利。4.2.国内企业坚持自主研发，缩小与国外企业差距SiC行业是技术密集型行业，对研发人员操作经验、资金投入有较高要求。国际***半导体公司研发早于国内公司数十年，提前完成了技术积累工作。因此，国内企业存在人才匮乏、技术水平较低的困难，制约了半导体行业的产业化进程发展。而在碳化硅第三代半导体产业中，行业整体处于产业化初期，中国企业与海外企业的差距明显缩小。受益于中国5G通讯、新能源等新兴产业的技术水平、产业化规模的**地位，国内碳化硅器件巨大的应用市场空间驱动上游半导体行业快速发展，国内碳化硅厂商具有自身优势。浙江普通铝碳化硅碳砖生产***代半导体主要有硅和锗，由于硅的自然储量大、制备工艺简单，硅成为制造半导体产品的主要原材料。
鹿岛钢铁公司开发出了滑板砖的二次利用工艺，采用表面打磨、浇注料浇注复原法、圆环镶嵌法，使修复后的滑板达到了与新滑板相同的使用效果；出铁沟废旧耐火材料被重复使用，主要用作A12O3-SiC-C质浇注料的骨料。大同特钢公司知多厂针对大量用后废弃耐火砖占地面积增大的问题，进行了废砖循环使用技术的开发。例如，该厂将废砖分类、粉碎加工后调整成分和粒度，选择含MgO-C、Al2O3-MgO-C的钢包废砖替代轻烧白云石砖作为LF炉（钢包炉）造渣剂，通过工业性试验，在成渣性、脱S速度方面的精炼性能优良。
碳化硅的禁带宽度大约为3.2eV，硅的宽带宽度为1.12eV，大约为碳化硅禁带宽度的1/3，这也就说明碳化硅的耐高压性能***好于硅材料。此外，碳化硅的热导率大幅高于其他材料，从而使得碳化硅器件可在较高的温度下运行，其工作温度高达600℃，而硅器件的极限温度*为300℃；另一方面，高热导率有助于器件快速降温，从而下游企业可简化器件终端的冷却系统，使得器件轻量化。根据CREE的数据，相同规格的碳化硅基MOSFET尺寸*为硅基MOSFET的1/10。同时，碳化硅具有较高的能量转换效率，且不会随着频率的提高而降低，碳化硅器件的工作频率可以达到硅基器件的10倍，相同规格的碳化硅基MOSFET总能量损耗*为硅基IGBT的30%。碳化硅生长环境温度远高于硅材料，硅的升华温度为 1400 度左右，而碳化硅的晶片生长需要 2000 度左右。
砷化镓是***代半导体材料的**，较高的电子迁移率使其应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的**材料。但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性，无法在高温、高频、高功率器件领域推广。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为**，与前两代半导体材料相比比较大的优势是较宽的禁带宽度，***了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G基站、卫星等新兴领域的理想材料。SiC具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积。碳化硅的禁带宽度大约为3.2eV，硅的宽带宽度为1.12eV，大约为碳化硅禁带宽度的1/3，这也就说明碳化硅的耐高压性能***好于硅材料。牵引变流器是机车大功率交流传动系统的**装备，将碳化硅器件应用于轨道交通牵 引变流器。浙江熔铁铝碳化硅碳砖资源
提高牵引变流器装臵效率，符 合轨道交通大容量、轻量化和节能型牵引变流装臵的应用需求。上海耐火铝碳化硅碳砖公司
SiC在新能源汽车上的应用将在***汽车的强度和安全性能的前提下**减轻汽车的重量，有效提升电动车10%以上的续航里程，减少80%的电控系统体积。新能源汽车碳化硅功率器件市场规模推算：根据中国汽车工业协会数据，我国新能源汽车销量由2015年的33.1万辆增至2019年的120.6万辆，复合增长率达38%，渗透率达到4.7%。根据工信部发布的《新能源汽车产业发展规划（2021-2035年）》，2025年我国汽车销量有望达到3000万辆，其中新能源汽车占新车总销量20%，新能源汽车销量有望达到600万辆。据天科合达招股书披露，根据现有技术方案，每辆新能源汽车使用的功率器件价值约700美元到1000美元。粗略估计，我国2025年新能源汽车使用的功率器件市场达42~60亿美元。2.1.2.光伏发电领域，碳化硅功率器件逐步替代硅基器件在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，却是系统能量损耗的主要来源之一。上海耐火铝碳化硅碳砖公司
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